台积電将称霸晶圆代工,3D封装是未来新挑战
工研院產科國際所钻研总监杨瑞临認為，台积電芯片制程5年内将称霸晶圆代工業，3D封装是新挑战。英心腦血管阻塞,特尔（Intel）7nm芯片制程進度延迟，并可能释出委外代工定单;同時，手機芯片廠高通（Qualco妹妹）也傳出5nm处置器可能自三星（Samsung）转由台积電代工出產，讓台积電制程领先职位地方成為市場近期存眷核心。
台积電继7nm芯片制程于2018年领先量產，并在强效版7nm芯片制程争先导入极紫外光（EUV）微影技能，5nm芯片制程在本年延续领先量產，下半年将强劲发展，進献整年约8%事迹。
台积電3nm制程技能開辟顺遂，将沿用鳍式場效電晶体（FinFET）技能，估计2022年下半年量產，3nm制程届時仍将是半导体業界最先辈的技能。
為确保制程技能延续领先，台积電2019年已领先半导体财產研发2nm芯片制程技能，台积電今朝還没有颁布发表量產時候，不外依照台积電每2年推動一個世代制程技能推算，2nm芯片有望于2024年量產。
杨瑞临阐发，盡管台积電2nm芯片制程将曩昔的FinFET技能，改成环抱闸极（GAA）技能，台积電2nm芯片制程仍有望保持领先职位地方。
只是制程微缩技能行将面對物理瓶颈，且代价本钱愈来愈高，杨瑞临暗示，3D重叠先辈封装技能将更趋首要，相干装备与质料问题都有待解决，這也是台积電的新挑战。
杨瑞临暗示，台积電在先辈封装范畴着墨多時，自2016年推出InFO封装技能後，至2019年已成长至第5代整合型扇出层叠封装技能（InFO-PoP）登科2代整合型扇出暨基板封装技能（In洗腳皂,FO-oS），并開辟第5代CoWo蜂蜜凍幹檸檬片,S。
别的，台积電開辟体系整合晶片SoIC，以铜到铜连系布局，搭配矽导孔（TSV）实現3D IC技能，将供给持续摩尔定律的機遇。
杨瑞临認為，台积電在先辈封装范畴仍将领先敌手三星。先辈封装将是台积電筑起更高的技能与本钱門坎，也是拉大与竞争敌手差距的關头。
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